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期刊文章详细信息

基于半导体开关的高重频LTD  ( EI收录)  

High-frequency Repetitive LTD Based on Semiconductor Switches

  

文献类型:期刊文章

作  者:江伟华[1]

机构地区:[1]长冈技术科学大学

出  处:《高电压技术》

年  份:2015

卷  号:41

期  号:6

起止页码:1776-1780

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2015_2016、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:脉冲功率的工业应用需要紧凑、灵活、稳定的脉冲功率源。高重频LTD是以此为目的发展的新技术,它所代表的脉冲叠加法与传统的脉冲压缩法存在很大的差异。本文介绍基于半导体开关的高重频LTD的基本方法和典型的实验结果。该LTD系统由30个模块构成,每个模块采用24个MOSFET作为开关。实验结果表明:该LTD系统可以产生最高29 k V的输出电压和240 A的输出电流;脉冲宽度在50~170 ns范围内任意可调;控制模块的开关顺序可以方便地组合出不同的波形。LTD的模块化趋势和它的输出波形可调性是其主要优势,而在能量效率上有待进一步改善。

关 键 词:脉冲功率 电力电子  高电压  脉冲调制 气体放电 等离子体  

分 类 号:TN303]

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