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SOI深槽刻蚀Notching效应的研究
Study on Notching Effect of Silicon on Insulator Deep Reactive Ion Etching
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]杭州士兰集成电路有限公司,浙江杭州310083
年 份：2015
卷 号：24
期 号：10
起止页码：61-64
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：本文研究了高频(13.56 MHz)和低频(380 KHz)深槽刻蚀机,对SOI硅片深槽刻蚀横向切口(notching)效应的影响。结果表明:过刻蚀量(OE)在20%时,高频设备发生notching现象,但是随着槽尺寸的增大,notching的横向刻蚀量呈线性下降;低频设备在OE为90%时仍没有明显notching现象。研究表明SF6等离子体频率较低,难以响应高频射频场;以及高频设备刻蚀离子垂直方向性较强,易造成介质层电荷积累是导致notching效应的主要原因。
关 键 词：横向切口效应 深槽刻蚀 低频偏压 微机械系统
分 类 号：TN305.7]
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