文献类型：期刊文章

作　　者：於广军[1] 杨彦涛[1] 闻永祥[1] 李志栓[1] 方佼[1] 马志坚[1]

机构地区：[1]杭州士兰集成电路有限公司

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2013ZX02310)

年　　份：2016

卷　　号：41

期　　号：5

起止页码：390-393

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2015_2016、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了一种博世(Bosch)工艺深槽刻蚀后的侧壁平坦化技术。优化深槽刻蚀工艺参数使侧壁扇贝褶皱的尺寸降低至约52 nm,然后在1 100℃炉管中热氧化生长100 nm牺牲氧化层,再用HF酸漂洗工艺去除牺牲氧化层得到完全光滑的侧壁形貌。研究表明,扇贝褶皱的底部沿<100>晶向氧化,而顶部沿<110>晶向氧化的矢量叠加方向。当热氧生长厚度较薄时,氧化行为倾向于线性氧化,由于线性氧化的速率常数强烈依赖晶向取向,因此氧化一定时间后,顶部的氧化深度与底部的氧化深度达到一致。基于上述氧化机制,Si/Si O2界面变得平滑陡直。

关 键 词：深槽刻蚀(DRIE)  扇贝褶皱  博世工艺  线性氧化  光滑侧壁  

分 类 号：TN405.98]