文献类型：期刊文章

作　　者：严伟国[1] 刘成国[1] 丁肇宇[1] 吴志鹏[1]

机构地区：[1]武汉理工大学理学院射频与微波技术研究中心,湖北武汉430070

出　　处：《电子设计工程》

年　　份：2017

卷　　号：25

期　　号：5

起止页码：79-82

语　　种：中文

收录情况：RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：功率放大器在现代无线通信系统中有着重要作用,AB类功率放大器因其能够平衡效率与线性度的关系被广泛研究使用;LDMOS晶体管因其优异的工作性能,是目前多种射频功率应用中主流的技术之一。采用LDMOS晶体管设计了一款工作频段在2.11~2.17 GHz的AB类功率放大器,完成了匹配电路的设计,在工作频段内S11<-10 d B,S21>18.7 d B,最大线性输出功率P1d B>51 d Bm,其相应的漏极效率在59%以上;从P1d B点回退6.5 d B点的漏极效率大于31%,上三阶交调为-35.9 d Bc,下三阶交调为-35.6 d Bc。仿真结果表明,设计的功率放大器可满足实际基站的应用需求。

关 键 词：功率放大器 阻抗匹配 LDMOS AB类  

分 类 号：TN722]