文献类型：期刊文章

作　　者：艾斌[1,2] 邓幼俊[2]

AI Bin;DENG Youjun(School of Materials Science and Engineering,Sun Yat-sen University,Guangzhou 510006,China;Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology,School of Physics,Sun Yat-sen University,Guangzhou 510006,China)

机构地区：[1]中山大学材料科学与工程学院,广东广州510006 [2]中山大学物理学院,广东省光伏技术重点实验室,广东广州510006

出　　处：《中山大学学报(自然科学版)》

基　　金：广东省战略性新兴产业核心技术攻关项目(2011A032304001);广东省科技计划项目(2013B010405011)

年　　份：2017

卷　　号：56

期　　号：3

起止页码：1-7

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAB、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、IC、JST、MR、PROQUEST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：掺硼p型晶体硅太阳电池一直牢牢占据着光伏市场的主导地位,但硼-氧(B-O)缺陷引起的光衰(LID:Light induced degradation)极大地限制了它的发展。最新的对太阳电池加热同时注入少数载流子的B-O缺陷"复原"(regeneration)技术有望彻底解决掺硼p型晶体硅太阳电池的LID问题。鉴于掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施的研究对提高晶体硅太阳电池性能表现的长期稳定性有重要作用,回顾了近年在掺硼p型晶体硅太阳电池LID及其抑制措施方面的研究进展,并对最新发展出的B-O缺陷"复原"技术给予了重点介绍。

关 键 词：晶体硅太阳电池 硼-氧缺陷  光衰 复原  

分 类 号：TM615]