文献类型：期刊文章

作　　者：邓孝祥[1] 李鹏[1] 戴超凡[2] 杨荣浩[1]

机构地区：[1]黑龙江科技大学,黑龙江哈尔滨150022 [2]国网江苏省电力公司泗阳县供电公司,江苏宿迁223700

出　　处：《大功率变流技术》

基　　金：中国煤炭工业协会指导性计划项目(MTKJ2016-367)

年　　份：2017

期　　号：6

起止页码：48-51

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：为分析宽禁带半导体器件GaN MOSFET与Si MOSFET栅极驱动损耗、开关损耗的成因及关联参数,利用单相全桥逆变拓扑结构搭建功率开关器件应用测试平台,对GaN MOSFET和Si MOSFET在不同开关频率及器件工作温度下的效率进行测试比较。实验结果显示,开关频率为50 k Hz和120 k Hz时,基于增强型Ga N MOSFET的逆变器比基于Si MOSFET的效率分别高1.47%和1.6%;40℃,50℃,60℃,70℃温度对比实验时,基于增强型GaN MOSFET的逆变器效率比基于Si MOSFET的分别高1.8%,1.9%,2.0%和2.1%,表明开关频率递增或工作温度越高的工况下,增强型GaN MOSFET高效性能越明显。

关 键 词：单相全桥逆变器 宽禁带 增强型GaN  MOSFET 开关损耗  栅极驱动损耗  

分 类 号：TN303]