文献类型：期刊文章

作　　者：杨涛涛[1,2] 韩军[1] 林文魁[2] 曾春红[2] 张璇[2] 孙玉华[2] 张宝顺[2] 鞠涛[2]

机构地区：[1]北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124 [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61204011,11204009,61574011);江苏省科技计划项目(BE2014066);北京市自然科学基金资助项目(4142005);北京市教委能力提升项目(PXM2017-014204-500034);中国科学院科研装备研制项目(YZ201549)

年　　份：2018

卷　　号：43

期　　号：1

起止页码：48-52

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2017_2018、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）低温处理和高温快速退火的技术,研究了退火条件对SiO2/4H-SiC界面态密度的影响。在n型4H-SiC外延片上高温干氧氧化50 nm厚的SiO2层并经N2原位退火,随后在PECVD炉中对样品进行350℃退火气氛为PH3,N2O,H2和N2的后退火处理,之后进行高温快速退火,最后制备Al电极4H-SiC MOS电容。I-V和C-V测试结果表明,各样品的氧化层击穿场强均大于9 MV/cm,PH3处理可以降低界面有效负电荷和近界面氧化层陷阱电荷,但PH3处理样品的界面态密度比N2O处理的结果要高。经N2O氛围PECVD后退火样品在距离导带0.2和0.4 eV处的界面态密度分别约为1.7×10^12和4×10^11eV^-1·cm^-2,有望用于SiC MOSFET器件的栅氧处理。

关 键 词：4H-SIC MOS电容 C-V测试 界面态密度 等离子体增强化学气相沉积(PECVD)  

分 类 号：TN304.24]