文献类型：期刊文章

作　　者：高笛[1] 张家豪[1] 明鑫[1,2] 甄少伟[1,2] 陈萍[3] 张波[1]

机构地区：[1]电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室 [2]电子科技大学广东电子信息工程研究院 [3]中国人民解放军78188部队

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61404020,61404025); 广东省自然科学基金资助项目(2014A030310407)

年　　份：2018

卷　　号：48

期　　号：1

起止页码：82-87

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2017_2018、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：设计了一种快速瞬态响应的无片外电容型LDO。采用高增益高带宽的超级跨导结构(STC)的误差放大器,利用动态偏置技术与电容耦合技术,极大地增强了摆率。引入额外的快速响应环路,进一步提升了瞬态响应速度。基于0.18μm CMOS工艺进行设计。结果表明,该LDO的最低供电电压为1V,漏失电压仅为200mV,可提供最大100mA的负载电流,能在最大输出电容为100pF、最低负载为50μA的条件下保证电路稳定。负载电流在0.5μs内由50μA跳变至100mA时,LDO输出导致的过冲电压和下冲电压分别为200mV和306mV。

关 键 词：无片外电容型LDO  超级跨导结构  快速瞬态响应  

分 类 号：TN432]