文献类型：期刊文章

作　　者：桂林[1] 左健存[1] 吴中林[2] 王胜利[2]

Gui Lin;Zuo Jiancun;Wu Zhonglin;Wang Shengli(School of Computer and Information Engineering, College of Engineering, Shanghai Polytechnic University, Shanghai 201209, China;College of Arts and Science, Shanghai Polytechnic University, Shanghai 201209, China)

机构地区：[1]上海第二工业大学工学部计算机与信息工程学院,上海201209 [2]上海第二工业大学文理学部,上海201209

出　　处：《光学学报》

基　　金：湖南省自然科学基金(11JJ6053);上海第二工业大学内涵建设项目(A11NH170301);上海第二工业大学校基金(EGD17XQD07)

年　　份：2018

卷　　号：38

期　　号：4

起止页码：277-282

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：微环谐振器是集成光学中的关键器件,它的实际滤波特性会受到输入光功率的影响,但长期以来,微环谐振器的稳态模型仅包含线性光学作用。考虑微环谐振器反馈波导中的光学非线性引入的损耗和相移,以及微环耦合器中光学非线性引入的耦合比改变等因素,推导了考虑自相位调制、双光子吸收和热光效应的微环谐振器的非线性模型。重点讨论了双光子吸收和光学非线性引入的耦合器耦合比改变对微环谐振器陷波深度的影响,仿真结果表明,在热光效应和自相位调制产生谐振谱线频移的同时,功率相关的耦合器耦合比的改变对微环谐振器陷波深度的影响较大。

关 键 词：非线性光学 硅光子学  微环谐振器 光波频率域模型  

分 类 号：TN256]