文献类型：期刊文章

作　　者：董艺[1] 沈鸣杰[1] 刘岐[1]

DONG Yi;SHEN Mingjie;LIU Qi(Shanghai Fudan Microelectronics Group Co.Ltd.,Shanghai 200433,China)

机构地区：[1]上海复旦微电子集团股份有限公司,上海200433

出　　处：《航天器环境工程》

基　　金：国家重大科技专项工程

年　　份：2018

卷　　号：35

期　　号：5

起止页码：468-472

语　　种：中文

收录情况：JST、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：为深入了解应用NOR Flash工艺的多种器件的总剂量特性,特别是浮栅器件的特殊总剂量效应,开展了浮栅器件和多种NMOS器件总剂量效应的对比试验。基于器件级测试芯片,进行了多种剂量的总剂量试验和高温退火试验,分析了不同器件在总剂量辐照下的不同特性,所关注的特性包括器件的漏电流变化和阈值电压变化。通过试验发现浮栅器件受总剂量辐照后会产生弱编程效应且该效应无法通过退火恢复。这一研究成果为抗辐射Flash产品的抗总剂量加固设计提供了依据。

关 键 词：Flash工艺  浮栅器件  NMOS器件 总剂量效应 漏电流 阈值电压

分 类 号：TN406] V416.5]