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对靶非平衡磁控溅射系统平面探针诊断
Diagnosis of unbalanced magnetron sputtering of dual target system by a plane plate probe
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,辽宁大连116023 [2]沈阳市北宇真空设备厂,辽宁沈阳110045
年 份：2002
卷 号：39
期 号：5
起止页码：57-59
语 种：中文
收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、ZGKJHX、核心刊
摘 要：对靶非平衡磁控溅射系统由两个相对磁控溅射靶和一个磁镜场约束系统构成 ,通过调整电磁线圈的激励电流可以控制磁镜场的空间分布状态 ,测量了合成磁场的空间分布状态。采用平面探针方法 ,在两靶中间位置测量了收集电流密度。结果表明 ,探针的收集电流密度随磁镜场的激励电流增加显著增大 ,在偏压 15 0V、工作气体 Ar、压力 0 .2 Pa和磁控溅射靶工作电流 3A时 ,收集的电流密度可以达到 5 .77m A / cm2 。
关 键 词：非平衡磁控溅射系统 平面探针 诊断 薄膜 等离子体 镀膜技术
分 类 号：TB43]
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