文献类型：期刊文章

作　　者：刘军[1] 于伟华[1] 杨宋源[1] 侯彦飞[1] 崔大胜[1] 吕昕[1]

LIU Jun;YU Wei-Hua;YANG Song-Yuan;HOU Yan-Fei;CUI Da-Sheng;LYU Xin(Beijing Key Laboratory of Millimeter Wave and Terahertz Technology,Beijing Institute of Technology,Beijing100081)

机构地区：[1]北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京100081

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)

年　　份：2018

卷　　号：37

期　　号：6

起止页码：683-687

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用改进的小信号模型对采用100nmInAlAs/InGaAs/InP工艺设计实现的PHEMTs器件进行建模,并设计实现了一款W波段单片低噪声放大器进行信号模型的验证。为了进一步改善信号模型低频S参数拟合差的精度,该小信号模型考虑了栅源和栅漏二极管微分电阻,在等效电路拓扑中分别用Rfs和Rfd表示.为了验证模型的可行性,基于该信号模型研制了W波段低噪声放大器单片.在片测试结果表明:最大小信号增益为14.4dB@92.5GHz,3dB带宽为25GHz@85-110GHz.而且,该放大器也表现出了良好的噪声特性,在88GHz处噪声系数为4.1dB,相关增益为13.8dB.与同频段其他芯片相比,该放大器单片具有宽3dB带宽和高的单级增益.

关 键 词：InAlAs/InGaAs/InP  赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs)  小信号模型  毫米波和亚毫米波  单片微波集成电路(MMIC)  低噪声放大器  

分 类 号：O43]