文献类型：期刊文章

作　　者：刘军[1] 吕昕[1] 于伟华[1] 杨宋源[1] 侯彦飞[1]

LIU Jun;LUY Xin;YU Wei-Hua;YANG Song-Yuan;HOU Yan-Fei(Beijing Key Laboratory of Millimeter Wave and Terahertz Techniques,Beijing Institute of Technology,Beijing 100081,China)

机构地区：[1]北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京100081

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)

年　　份：2019

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：144-148

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2019_2020、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用90nmInAlAs/InGaAs/InPHEMT工艺设计实现了两款D波段(110～170GHz)单片微波集成电路放大器.两款放大器均采用共源结构,布线选取微带线.基于器件A设计的三级放大器A在片测试结果表明:最大小信号增益为11.2dB@140GHz,3dB带宽为16GHz,芯片面积2.6mm×1.2mm.基于器件B设计的两级放大器B在片测试结果表明:最大小信号增益为15.8dB@139GHz,3dB带宽12GHz,在130～150GHz频带范围内增益大于10dB,芯片面积1.7mm×0.8mm,带内最小噪声为4.4dB、相关增益15dB@141GHz,平均噪声系数约为5.2dB.放大器B具有高的单级增益、相对高的增益面积比以及较好的噪声系数.该放大器芯片的设计实现对于构建D波段接收前端具有借鉴意义.

关 键 词：InAlAs/InGaAs/InP  赝高电子迁移率晶体管(PHEMTs)  90nm  单片微波集成电路(MMIC)  放大器  D波段  

分 类 号：O43]