文献类型：期刊文章

作　　者：王骏齐[1] 张衍敏[1] 陈天弟[1] 王恒[1] 田遴博[1] 冯超[2,3] 夏金宝[2] 张飒飒[1]

WANG Junqi;ZHANG Yanmin;CHEN Tiandi;WANG Heng;TIAN Linbo;FENG Chao;XIA Jinbao;ZHANG Sasa(School of Information Science and Engineering,Shandong University,Jinan 250100;State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100;Advanced Research Center for Optics,Shandong University,Qingdao 266237)

机构地区：[1]山东大学信息科学与工程学院,济南250100 [2]山东大学晶体材料国家重点实验室,济南250100 [3]山东大学光学高等研究中心,青岛266237

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)(2015CB921003);山东省自然科学基金博士基金(ZR2018BF030);博士后国际交流计划派出项目(20180065)~~

年　　份：2019

卷　　号：33

期　　号：A01

起止页码：33-36

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：具有优良热红外透明性的ZnS是一种重要的宽禁带半导体材料,在电致发光以及荧光效应方面有很大的潜力,因此被广泛用于发光器件和光催化等领域。对于ZnS进行适当的掺杂能有效改变其发光和吸收性能,从而让其作为发光材料拥有更大的应用价值。本工作应用基于密度泛函理论的第一性原理,计算并对比分析了纯净ZnS以及Ag掺杂浓度分别为3.125%、9.375%、25%、50%的ZnS的晶体学结构、电子性质以及光学性质。研究结果表明,更高的掺杂浓度能有效降低禁带宽度,并增强ZnS在红外波段的光学吸收与反射。本研究为制备Ag掺杂ZnS半导体提供了理论依据,针对不同需求调节掺杂浓度以制备特定性能的ZnS晶体。

关 键 词：第一性原理 密度泛函理论  掺杂 光学性质

分 类 号：O471.4]