文献类型：期刊文章

作　　者：杜伟华[1]

Du Weihua(San'an Optoelectronics Co.,Ltd.,Xiamen 361009,China)

机构地区：[1]厦门市三安光电科技有限公司

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403102)

年　　份：2019

卷　　号：44

期　　号：8

起止页码：617-622

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升。通过引入AlN缓冲层,将X射线衍射(XRD)下样品(002)面的半高宽(FWHM)由232″降低至148″;通过减薄成核层厚度、提升粗糙层生长压力,将样品(102)面和(100)面的FWHM分别由243″和283″降低至169″和221″。研究了不同成核层和粗糙层的生长参数对GaN薄膜表面形貌的影响,随着(102)面和(100)面FWHM的降低,表面平整度亦得到改善,粗糙度由约3.8 nm下降到约1.6 nm。利用优化后的底层条件生长了高质量GaN薄膜,在3.5 A/mm^2电流密度下,与参考样品相比,制备出的LED样品的光输出功率由863 mW提升至942 mW,提升了约9%。

关 键 词：GAN 平片蓝宝石衬底  ALN 成核层  粗糙层  垂直结构LED  

分 类 号：TN312.8] TN304.