文献类型：期刊文章

作　　者：王珊珊[1] 殷淑静[1] 梁海锋[1] 韩军[1,2]

WANG Shanshan;YIN Shujing;LIANG Haifeng;HAN Jun(School of Optoelectronic Engineering,Xi’an Technological University,Xi’an 710021,China;Northwest Institutes of Advanced Technology,Xi’an Technological University,Xi’an 710021,China)

机构地区：[1]西安工业大学光电工程学院,陕西西安710021 [2]西安工业大学西北兵器工业研究院,陕西西安710021

出　　处：《应用光学》

基　　金：陕西省重点研发计划项目(2019ZDLGY16-01);西安市智能探视感知重点实验室项目(201805061ZD12CG45)

年　　份：2019

卷　　号：40

期　　号：5

起止页码：738-745

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2019_2020、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅纳米线是新型一维半导体纳米材料的典型代表。利用阳极氧化铝薄膜为模版复制出具有有序纳米结构的金膜,在金的催化辅助下对单晶硅进行湿法刻蚀,得到尺寸、形状、分布可控的硅纳米线阵列,并对其光学特性进行了研究。研究结果表明,金代替银作为催化剂,可以有效地抑制二次刻蚀,金的化学性质相对于银更加稳定,克服了银膜在较高的温度或较长刻蚀时间下产生的结构性破坏,得到形貌规整、尺寸可控的硅纳米线阵列。对该阵列在400nm^1200nm波段的反射率、透过率进行了测试,并对比分析了金模板催化与传统方法机理的异同。测试结果表明,相较于传统金属辅助化学刻蚀法,文中提出的金模板催化法制备的硅纳米线阵列尺寸及分布更加均匀可控,在宽光谱范围内的抗反射性得到了显著提高。

关 键 词：半导体材料 硅纳米线 阳极氧化铝薄膜  湿法刻蚀 催化 抗反射性  

分 类 号：TN29]