期刊文章详细信息
氮化铝陶瓷基板制备工艺的研究
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]潮州三环(集团)股份有限公司
年 份：2019
卷 号：0
期 号：14
起止页码：59-60
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：本文研究了不同烧结助剂添加量,以及烧结温度对氮化铝陶瓷结构及性能的影响。通过对不同制备工艺条件进行研究,优选出当烧结助剂为1.5%,烧结温度为1750~1800℃时,氮化铝陶瓷具有最好的综合性能。前言:氮化铝(AlN)陶瓷作为一种导热率高,热膨胀系数与硅半导体接近的材料,具备良好的绝缘和机械性能,在高频通信、LED照明、新能源汽车、高铁、风能和光伏发电等新兴领域的商业化应用逐渐普及。
关 键 词：氮化铝陶瓷 烧结助剂 热膨胀系数 导热率 商业化应用 硅半导体 高频通信 LED照明
分 类 号：TQ1]
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