文献类型：期刊文章

作　　者：叶向荣[1,2] 刘华平[3] 黄明星[3] 张广第[1] 李军[1] 陈刚[1] 张坚文[3]

YE Xiangrong;LIU Huaping;HUANG Mingxing;ZHANG Guangdi;LI Jun;CHEN Gang;ZHANG Jianwen(Zhejiang Britech Co.,Ltd.,Quzhou 324004,China;Key Laboratory of The Ministry of Educationfor Advanced Catalysis Materials,Zhejiang Normal University,Jinhua 321004,China;Quzhou Fluoride and Silicon Technology Research Institute,Quzhou 324004,China)

机构地区：[1]浙江博瑞电子科技有限公司,浙江衢州324004 [2]浙江师范大学先进催化材料教育部重点实验室,浙江金华321004 [3]衢州氟硅技术研究院,浙江衢州324004

出　　处：《低温与特气》

基　　金：国家重点研发计划项目课题(2017YFB04055801)。

年　　份：2020

卷　　号：38

期　　号：2

起止页码：1-10

语　　种：中文

收录情况：CAS、CSA、CSA-PROQEUST、普通刊

摘　　要：HCl电子气体是集成电路制程中刻蚀和清洗的关键气体,其水分、金属离子等有害杂质需严格控制,ppbv(10-9)级深度除水对保障HCl电子气体的纯度、品质稳定性和制程应用效果至关重要。常规活性炭虽然耐HCl腐蚀,具有较高比表面积,但除水活性有限。该工作对活性炭进行了酰氯化修饰,并研究了酰氯化活性炭对HCl电子气体的深度除水作用。结果表明,活性炭经氧化酸化和酰氯化处理后,形成的表面酰氯化官能团可选择性地与HCl电子气体中的ppmv(10-6)级水分反应,将水分转化为HCl,使HCl电子气体中水分降至ppbv级,同时自身水解生成表面羧基等官能团,对存在HCl电子气体中和活性炭可能释出的痕量金属离子,有吸附阻滞作用,抑制了深度除水后HCl电子气体中金属离子的显著增加。由于表面羧基等官能团可重新酰氯化,活性炭材料对HCl电子气体的高效、选择性深度除水能力再生成为可能。该工作也为探索石墨烯、碳纳米管等新型碳材料在电子气体深度纯化上的新应用提供了依据。

关 键 词：氯化氢电子气体  深度除水  活性炭  酰氯化 表面官能团

分 类 号：TQ117]