文献类型：期刊文章

作　　者：宋金伟[1] 张峰[2] 郭艳玲[2] 关宝璐[2]

Song Jinwei;Zhang Feng;Guo Yanling;Guan Baolu(Hangzhou Silan Inter grated Circuits Co.,Ltd.,Hangzhou 310018,China;Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Faculty of Information Technology,Beijin g University of Technology,Beijing 100124,China)

机构地区：[1]杭州士兰集成电路有限公司,杭州310018 [2]北京工业大学信息学部,光电子技术教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《微纳电子技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(60908012,61575008,61775007);北京市自然科学基金资助项目(4172011)。

年　　份：2020

卷　　号：57

期　　号：6

起止页码：430-435

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、PROQUEST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用圆点传输线模型(CDTLM),对基于非磁性材料Cr/Au的垂直腔面发射激光器(VCSEL)n型GaAs欧姆接触系统进行了研究。实验结果表明,在400℃下退火35 s后,基于非磁性材料Cr/Au (50 nm/300 nm)的n型GaAs欧姆接触系统具有低的比接触电阻率,其值为2.5×10^-6Ω·cm^2。在高合金温度下,基于Cr/Au的欧姆接触系统性能得到了改善。将非磁性材料Cr/Au应用到整个VCSEL结构设计中,当工作温度从20℃升高到50℃时,VCSEL的阈值电流保持在0.65~1 mA,最大输出光功率达到1.71 mW。此外,运用电导数法深入分析了基于Cr/Au电极的VCSEL的可靠性,结果表明基于非磁性材料Cr/Au的VCSEL可以实现良好的金属-半导体界面状态,并具有低的阈值电流和较小的并联非线性电阻,从而获得了低的器件退化率和优异的热稳定性。

关 键 词：垂直腔面发射激光器(VCSEL)  圆点传输线模型(CDTLM)  非磁性材料Cr/Au  比接触电阻率 欧姆接触

分 类 号：TN365]