文献类型：期刊文章

作　　者：朱学亮[1]

Zhu Xueliang(Xiamen San′an Optoelectronic Technology Co.,Ltd.,Xiamen 361009,China)

机构地区：[1]厦门市三安光电科技有限公司,福建厦门361009

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403102)。

年　　份：2020

卷　　号：45

期　　号：8

起止页码：597-601

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：蓝光LED的光效衰减可以使器件在高电流密度下的发光效率急剧降低。研究了GaN材料中不同位错类型对蓝光LED光效衰减效应的影响。通过控制物理气相沉积AlN缓冲层厚度及GaN缓冲层的有无,得到了两组不同螺位错和刃位错密度的GaN样品,其中螺位错密度为1.5×107~1×108 cm-2,而刃位错密度为2×108~7×108 cm-2。LED芯片测试结果表明,外量子效率维持率随着螺位错密度的增加而提升,从46.1%增加到54.9%;但随着刃位错密度的增加而降低。刃位错是非辐射复合中心,会加剧高电流密度下的光效衰减效应;而螺位错不是明显的非辐射复合中心,较高的螺位错密度可以改善LED的光效衰减效应。因此可以通过适当增加螺位错密度来提升LED的外量子效率。

关 键 词：光效衰减  GAN基LED 外量子效率 位错 V型缺陷  

分 类 号：TN312.8] TN304.2