文献类型：期刊文章

作　　者：刘亮亮[1] 周林[1] 唐伟[1] 崔岁寒[1] 佘自力[2] 吴忠振[1]

LIU Liangliang;ZHOU Lin;TANGWei;CUI Suihan;SHE Zili;WU Zhongzhen(School of Advanced Materials,Peking University Shenzhen Graduate School,Shenzhen 518066,Guangdong,China;Shenzhen Future Materials Co.LTD,Shenzhen 518066,Guangdong,China)

机构地区：[1]北京大学深圳研究生院新材料学院,广东深圳518066 [2]深圳后浪铜箔科技有限公司,广东深圳518066

出　　处：《真空与低温》

基　　金：材料基因组国家重点研发计划(2016YFB0700600);博士后创新人才支持计划(BX20190001)。

年　　份：2020

卷　　号：26

期　　号：5

起止页码：369-376

语　　种：中文

收录情况：ZGKJHX、普通刊

摘　　要：挠性覆铜板(FCCL)是电子信息领域的基础材料,随着电子产品高集成化、高密度化、高频化的发展,对具有低介电损耗特点的聚酰亚胺/铜(PI/Cu)双层覆铜板的需求越来越大。目前高端FCCL的生产中存在膜基结合力差、Cu致密度低、环境污染等问题。本文提出利用兼具高离化率、高沉积速率特点的持续高功率磁控溅射技术(C-HPMS),通过多步离子能量控制在PI表面实现了真空环境下的Cu膜制备,研究了溅射功率密度、沉积温度和基底偏压对Cu膜沉积速率、致密度、膜基结合力等性能的影响,发现用C-HPMS制备Cu膜,沉积速率可以高达1.72μm/min;Cu膜与PI结合牢固,刻蚀后通过胶带测试,结合力均在0.76~0.87 N/mm之间;与压延Cu膜、电镀Cu膜的结构对比,膜层致密,晶粒尺寸均在20 nm左右;电阻率低,2μm厚度时低至4.3×10-8Ω·m,优于电镀法和压延法制备的厚度8μm的Cu膜。

关 键 词：持续高功率磁控溅射  挠性覆铜板 致密铜膜  结合强度  

分 类 号：TB174[生物工程类]