文献类型：期刊文章

作　　者：蔡宁静[1] 曾祥忠[2] 王波[3]

CAI Ningjing;ZENG Xiangzhong;WANG Bo(School of Electronic Engineering,Xi’an University of Posts&Telecommunications,Xi’an 710065,China;Xi’an Mid-River Photoelectric Technology Co.,Ltd.,Xi’an 710065,China;Xi’an North Electro-Optic Science&Technology Defense Co.,Ltd.,Xi’an 710065,China)

机构地区：[1]西安邮电大学电子工程学院,陕西西安710065 [2]西安中川光电科技有限公司,陕西西安710065 [3]西安北方光电科技防务有限公司,陕西西安710065

出　　处：《应用光学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(41974130)。

年　　份：2021

卷　　号：42

期　　号：1

起止页码：137-142

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD_E2021_2022、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电子轰击型(electron bombarded,EB)CMOS传感器工艺缺陷导致图像出现盲元,对图像质量影响较大。提出了一种基于多幅图像交叉计算的盲元检测新算法。对不同平均亮度的无目标图像,通过设置不同阈值,对图像进行二值化处理;再对多幅二值化图像按“亮点”位置进行交叉“相与”计算,生成盲元标记模板图,最后按盲元位置进行分类和取舍,得到最终盲元标记模板。最终盲元标记模板信息,为评价EBCMOS传感器品质和实际后续产品中盲元补偿提供可靠依据。

关 键 词：电子轰击型图像传感器  图像交叉计算  盲元标记模板图  评估与筛选  

分 类 号：TN29]