文献类型：期刊文章

作　　者：刘青明[1] 尚林[1] 邢茹萍[1] 侯艳艳[1] 张帅[1] 黄佳瑶[1] 马淑芳[1] 许并社[1,2]

LIU Qingming;SHANG Lin;XING Ruping;HOU Yanyan;ZHANG Shuai;HUANG Jiayao;MA Shufang;XU Bingshe(Institute of Atomic and Molecular Science,Frontier Institute of Science and Technology,Shaanxi University of Science and Technology,Xi'an 710021,China;Key Laboratory of Interface Science and Engineering in Advanced Materials of Ministry of Education,Taiyuan University of Technology,Taiyuan 030024,China)

机构地区：[1]陕西科技大学前沿科学与技术转移研究院材料原子·分子科学研究所,陕西西安710021 [2]太原理工大学新材料界面科学与工程教育部重点实验室,山西太原030024

出　　处：《中国材料进展》

基　　金：国家重点研发计划项目(2016YFB0401803);山西省重点研发计划项目(201703D111026)。

年　　份：2020

卷　　号：39

期　　号：12

起止页码：968-973

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：自低温AlN、GaN形核技术和高温热退火技术实现了外延高质量GaN薄膜和激活p型GaN受主以来,GaN基光电器件得到了迅猛发展。但是,GaN基光电器件依然存在诸多基础性问题,特别是基于异质衬底外延的GaN基LED外延层中的位错密度高达10^(8) cm^(-2),内量子效率却超过50%。V形坑是GaN基LED外延层中一种常见的倒金字塔缺陷,6个侧面与c面的夹角均为62°。基于V形坑缺陷对LED光电性能影响的研究成果,介绍了V形坑中侧壁量子阱屏蔽位错理论:侧壁量子阱的In含量较低,其势垒高度大于c面量子阱,故在穿透位错周围形成了高势垒,阻挡载流子被非辐射复合中心所捕获。此外,还综述了V形坑缺陷的形成机理、附近区域的发光特性、对LED电学特性的影响以及通过优化V形坑调控LED光电性能的研究。

关 键 词：氮化镓 V形坑缺陷  非辐射复合  光电性能

分 类 号：TN311.5]