文献类型：期刊文章

作　　者：许景龙[1] 刘佳[2,3,4]

XU Jinglong;LIU Jia(Library of Party School of the Guangdong Provincial Committee of CPC(Guangdong Institute of Public Administration),Guangzhou 510053;Wuhan Documentation&Information Center of Chinese Academy of Sciences,Wuhan 430071;Hubei Key Laboratory of Big Data in Science and Technology,Wuhan 430071;Department of Library,Information and Archives Management,School of Economics and Management,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190)

机构地区：[1]中共广东省委党校(广东行政学院)图书馆,广州510053 [2]中国科学院武汉文献情报中心,武汉430071 [3]科技大数据湖北省重点实验室,武汉430071 [4]中国科学院大学经济与管理学院图书情报与档案管理系,北京100190

出　　处：《中国发明与专利》

基　　金：中国科学院青年创新促进会项目(项目编号:E1ZG081001)研究成果之一;湖北省“十四五”高新技术产业技术预测和发展规划研究项目(项目编号:2020EDA005)研究成果之一。

年　　份：2021

卷　　号：18

期　　号：6

起止页码：24-35

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：[目的/意义]面向我国信息化战略和集成电路重大需求,基于专利文献分析把握微电子器件材料和工艺的发展现状和趋势。[方法/过程]以德温特世界专利索引数据库2000-2020年的专利为基础,从三个层次进行专利分析:(1)宏观上对专利数量、时间趋势等进行基本统计分析;(2)中观上对专利国家/地区、专利权人以及研发团队合作关系等进行关联分析;(3)微观上利用Citespace分析关键材料和工艺的主题演化进程和发展趋势。[结果/结论]美国微电子器件材料和工艺专利量领先全球;全球形成以IBM-三星、日本日立和荷兰飞利浦为中心的美日欧三个研发团体,且美日间合作关系较强;传统复合材料、化合物材料已趋于成熟,新型半导体材料、纳米线、纳米管以及石墨烯及其衍生物等材料是未来研发重点。本文能弥补未总结微电子器件关键材料和工艺的研究空白,为我国相关技术发展提供参考和启示。

关 键 词：微电子器件 场效应晶体管 新型存储器  新型传感器 专利分析  

分 类 号：TN4] G306]