文献类型：期刊文章

作　　者：王翔媛[1] 崔碧峰[1] 李彩芳[1] 许建荣[1] 王豪杰[1]

Wang Xiangyuan;Cui Bifeng;Li Caifang;Xu Jianrong;Wang Haojie(Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Faculty of Information Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)

机构地区：[1]北京工业大学信息学部,光电子技术教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：国家自然科学基金(11204009);北京市自然科学基金(4142005,4182014);北京市科技计划一般项目(KM201810005025)。

年　　份：2021

卷　　号：58

期　　号：7

起止页码：106-115

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2021_2022、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：垂直腔面发射激光器(VCSEL)作为理想的激光光源,具有广阔的发展前景。在光纤通信、光互连以及激光打印等应用领域中,大多要求VCSEL工作在基横模状态,而由于VCSEL自身的结构特点,易于激射出多横模,因此对VCSEL横向模式的限制成为了研究热点。本文综述了VCSEL横模控制方法的研究报道,分类分析了光子晶体、表面浮雕、反波导、扩展谐振腔以及高对比度光栅结构等横模控制方法的研究进展。

关 键 词：激光器 垂直腔面发射激光器 基横模 控制方法

分 类 号：TN365]