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期刊文章详细信息

基于SOI的MEMS高温压阻式压力传感器    

MEMS High Temperature Piezoresistive Pressure Sensor Based on SOI

  

文献类型:期刊文章

作  者:单存良[1,2] 梁庭[1,2] 王文涛[1,2] 雷程[1,2] 薛胜方[1,2] 刘瑞芳[1,2] 李志强[1,2]

Shan Cunliang;Liang Ting;Wang Wentao;Lei Cheng;Xue Shengfang;Liu Ruifang;Li Zhiqiang(Key Laboratory of Instrumentation Science and Dynamic Measurement of Ministry of Education,School of Instrument and Electronics,North University of China,Taiyuan 030051,China;Shanxi Provincial Key Laboratory of Dynamic Testing Technology,School of Instrument and Electronics,North University of China,Taiyuan 030051,China)

机构地区:[1]中北大学仪器与电子学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051 [2]中北大学仪器与电子学院动态测试技术山西省重点实验室,太原030051

出  处:《微纳电子技术》

基  金:山西省重点研发计划项目(201903D121123);山西省自然科学基金项目(201801D121157,201801D221203)。

年  份:2021

卷  号:58

期  号:4

起止页码:325-331

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘  要:基于高温环境下压力实时监测的广泛需求,设计并制备了一种最大量程为1.5 MPa的绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器。根据压阻效应原理和薄板变形理论,完成了传感器力学结构和电学性能的设计,采用微电子机械系统(MEMS)加工工艺完成了敏感芯片的制备,并使用了一种可耐300℃高温的封装技术。实验中采用了常温压力测试平台和压力-温度复合测试平台进行测试,测试结果表明,封装后的传感器在常温环境下具有良好的非线性误差、迟滞性和重复性,其灵敏度可达到0.082 8 mV/kPa,同时在300℃高温环境中其灵敏度仍可达0.063 8 mV/kPa。

关 键 词:高温压力传感器 微电子机械系统(MEMS)  压阻效应 灵敏度  倒装封装  

分 类 号:TP212] TH703]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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