文献类型：期刊文章

作　　者：李院院[1] 张子怡[1] 管佳豪[1] 李莉[1] 李姝丽[1] 成桢[1] 杨睿[1] 张云哲[1] 赵小侠[1] 徐可为[1,2]

Li Yuanyuan;Zhang Ziyi;Guan Jiahao;Li Li;Li Shuli;Cheng Zhen;Yang Rui;Zhang Yunzhe;Zhao Xiaoxia;Xu Kewei(Shaanxi Key Laboratory of Surface Engineering and Remanufacturing,Xi’an University,Xi’an 710065,China;Nano-film and Biological Materials Research Center,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China)

机构地区：[1]西安文理学院陕西省表面工程与再制造重点实验室,陕西西安710065 [2]西安交通大学纳米薄膜与生物材料研究中心,陕西西安710049

出　　处：《稀有金属材料与工程》

基　　金：Xi’an Science and Technology Project(2019KJWL05)。

年　　份：2021

卷　　号：50

期　　号：5

起止页码：1513-1517

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频(RF)磁控溅射法在玻璃衬底上制备了低浓度Al掺杂(≤1mol%)的SnO2系列薄膜。通过X射线衍射、扫描电镜、紫外-红外光谱仪及光致发光(PL)实验,展现了薄膜的晶体结构及光学特性。结果表明:当Al浓度增加时,薄膜晶格常数c减小,表明Al原子成功替代Sn原子并产生了大量的氧空位。在400~800 nm的可见光范围,薄膜的平均透射率可达88%以上。当Al浓度持续增加时,由于Burstein-Moss(BM)效应使薄膜带隙增宽。此外,测量发现,在265 nm波长的光激发下,所制备薄膜的PL谱具有典型的近边带和深能级辐射发光,其峰值随Al浓度的增加而增大。

关 键 词：SNO2薄膜 射频磁控溅射 晶体结构  光学特性

分 类 号：TQ134.32] TB383.2[材料类]