期刊文章详细信息
硅基电光调制与模分复用集成器件 ( EI收录)
Silicon-Based Integrated Device for Electro-Optic Modulation Assembly with Mode-Division Multiplexing
文献类型:期刊文章
Xiang Tong;Chen Heming;Hu Yuchen(College of Electronic and Optical Engineering,Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing,Jiangsu 210023,China;Bell Honors School,Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing,Jiangsu 210023,China)
机构地区:[1]南京邮电大学电子与光学工程学院,江苏南京210023 [2]南京邮电大学贝尔英才学院,江苏南京210023
基 金:国家自然科学基金(61571237);江苏省自然科学基金(BK20151509)。
年 份:2021
卷 号:48
期 号:11
起止页码:131-142
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:提出了一种硅基电光调制与模分复用的集成器件,该集成器件的电光调制模块由硅基光子晶体波导和宽度调制(WM)型谐振腔组成,模分复用模块由硅基非对称平行纳米线波导组成。光子晶体波导和纳米线波导的连接处采用锥形结构,用于减少两种波导之间的级联损耗。根据时域耦合模理论与等离子体色散效应,采用WM型谐振腔和PN掺杂结构实现了对TE0模式的调制。根据横向耦合模理论,采用非对称平行纳米线波导实现了TE0模向TE1模的转换。应用二维时域有限差分法(2D-FDTD)对其性能进行仿真分析,结果表明,该集成器件在调制电压为1.24V时,可以实现中心波长为1553.91nm的TE0模和TE1模的窄带通断调制及复用功能,插入损耗小于0.46 dB,消光比为19.73 dB,调制深度为0.9894,高品质因数Q值达1.5×10^(4),信道串扰小于-14.66 dB.该集成器件的结构紧凑,尺寸约为54μm×22μm,这对提高系统集成度、提升光通信网络容量具有重要意义。
关 键 词:光通信 硅基光子晶体 耦合模理论 电光调制 模分复用 集成器件
分 类 号:TN256]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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