文献类型：期刊文章

作　　者：彭涛[1] 王能能[1] 姜昱丞[1] 赵蒙[2] 姚金雷[1]

PENG Tao;WANG Nengneng;JIANG Yucheng;ZHAO Meng;YAO Jinlei(School of Physical Science and Technology,SUST,Suzhou 215009,China;Jiangsu Key Laboratory of Micro and Nano Heat Fluid Flow Technology and Energy Application,SUST,Suzhou 215009,China)

机构地区：[1]苏州科技大学物理科学与技术学院,江苏苏州215009 [2]苏州科技大学江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,江苏苏州215009

出　　处：《苏州科技大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(21771136;51301116)。

年　　份：2021

卷　　号：38

期　　号：4

起止页码：44-50

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：通过助溶剂法生长出三元硫化物K_(2)Zn_(3)S_(4)单晶,晶体结构为中心对称的K_(2)Mn_(3)S_(4)型结构,空间群为单斜的P2/c。K_(2)Zn_(3)S_(4)的拉曼特征峰在284 cm^(-1)和315 cm^(-1)处,源于Zn-S键弯曲和伸展的振动模Ag。紫外-可见-近红外光漫反射谱和电子能带计算表明K_(2)Zn_(3)S_(4)属于直接带隙半导体,带隙为3.43 eV。拉曼和红外光谱测量显示K_(2)Zn_(3)S_(4)对波长为2.5~16.7μm的中远红外光具有极好的透过性,在红外光学领域内有潜在的应用前景。

关 键 词：助熔剂法 金属硫化物 硫族半导体  宽带隙半导体

分 类 号：O469]