文献类型：期刊文章

作　　者：王秋华[1] 李明[2] 邱平平[2] 庞伟[1] 解意洋[1] 阚强[2] 徐晨[1]

Wang Qiuhua;Li Ming;Qiu Pingping;Pang Wei;Xie Yiyang;Kan Qiang;Xu Chen(Key Laboratory of Optoelectronics Technology,Ministry of Education,Department of Information,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academic of Sciences,Beijing 100083,China)

机构地区：[1]北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124 [2]中国科学院半导体研究所,北京100083

出　　处：《红外与激光工程》

基　　金：国家重点研发计划(2018 YFA0209000);国家自然科学基金(62074011,61604007,61874145,61774175);北京市自然科学基金(4172009,4182012);北京市科技新星计划(Z201100006820096)。

年　　份：2022

卷　　号：51

期　　号：5

起止页码：191-197

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对芯片原子钟(铯)用激光光源系统对垂直腔面发射激光器(VCSEL)模式及工作温度的需求,研制出可以高温工作的氧化限制型基横模894.6 nm VCSEL。通过缩小VCSEL氧化孔直径至3μm,限制VCSEL高阶横模激射,保证器件基横模低阈值电流工作。通过常温下腔模与材料增益失谐12 nm的结构设计,使器件能够在50~65℃高温时,激射波长对准原子能级且工作模式稳定。实验所制备的VCSEL在工作温度为55℃、注入电流1.8 mA时,激射波长达到894.6 nm,边模抑制比(SMSR)大于35 dB,基横模功率为0.75 mW,具有11.4°的远场发射角。当温度为65℃时,器件SMSR大于25 dB,基横模功率大于0.1 mW。该高温基横模工作的VCSEL在芯片原子钟中具有重要的应用前景。

关 键 词：垂直腔面发射激光器 基横模 高温 铯原子钟

分 类 号：TN248.4]