文献类型：期刊文章

作　　者：许晓芳[1] 邓军[1] 李建军[1] 张令宇[1] 任凯兵[1] 冯媛媛[1] 贺鑫[1] 宋钊[1] 聂祥[1]

XU Xiaofang;DENG Jun;LI Jianjun;ZHANG Lingyu;REN Kaibing;FENG Yuanyuan;HE Xin;SONG Zhao;NIE Xiang(Key Lab.of Optoelectronics Technology of the Ministry of Education,Faculty of Information Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100124,CHN)

机构地区：[1]北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《半导体光电》

年　　份：2022

卷　　号：43

期　　号：2

起止页码：332-336

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于能带理论和分布布拉格反射镜(DBR)的工作原理,分析了垂直腔面发射激光器(VCSEL)中DBR串联电阻较大的原因。采用组分渐变降低DBR结构中异质结界面处势垒,优化DBR的各层掺杂浓度,通过调控费米能级进一步降低DBR中的异质结势垒,从而有效降低DBR串联电阻。实验采用Al_(0.22)Ga_(0.78)As/Al_(0.9)Ga_(0.1)As作为生长DBR的两种材料,设计了DBR各层厚度,研究了AlGaAs材料的最佳生长温度,利用MOCVD外延技术完成了795nm VCSEL突变DBR与渐变DBR的生长。经过工艺制备,测得突变DBR和渐变DBR的电阻分别为6.6和5.3Ω,优化生长后的DBR电阻得到有效降低。

关 键 词：795 nm垂直腔面发射激光器  分布布拉格反射镜 串联电阻 渐变生长  MOCVD

分 类 号：TN248.4]