文献类型：期刊文章

作　　者：程海娟[1] 郭伟玲[1] 马琦璟[1] 郭浩[1] 秦亚龙[1]

Cheng Haijuan;Guo Weiling;Ma Qijing;Guo Hao;Qin Yalong(Key Laboratory of Optoelectronics Technology of the Ministry of Education Facully of Information Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China)

机构地区：[1]北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《半导体技术》

年　　份：2022

卷　　号：47

期　　号：7

起止页码：505-512

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：氮化镓(GaN)作为第三代宽禁带半导体材料的代表之一,具有电子饱和速率高、临界击穿电场大、热导率高等优点。GaN基肖特基势垒二极管(SBD)具有工作频率高、导通电阻小、耐高温高压等特点,在电动汽车、数据中心及5G通信技术等领域有广泛的应用前景。综述了GaN基SBD的工作原理,目前面临的主要问题,以及器件设计和结构优化的研究进展,包括横向结构(AlGaN/GaN异质结)SBD的外延、肖特基阳极和终端结构的优化;展示了垂直SBD及准垂直SBD的研究进展;最后,对GaN基SBD的进一步发展进行了总结和展望。

关 键 词：氮化镓(GaN)  肖特基势垒二极管(SBD)  结构优化 垂直器件  准垂直器件  

分 类 号：TN311.7]