文献类型：期刊文章

作　　者：刘军[1] 于伟华[2] 吕昕[2]

LIU Jun;YU Wei-hua;LÜ Xin(54th Beijing Research Institute,China Electronics Technology Group Corporation(CETC),Beijing 100070,China;Beijing Key Laboratory of Millimeter Wave and Terahertz Technology,Beijing Institute of Technology,Beijing 100081,China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第五十四研究所北京研发中心,北京100070 [2]北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京100081

出　　处：《电子学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.61771057);921载人航天预研项目(No.060401);国防科工局“十三五”民用航天预研项目(No.B0105)。

年　　份：2022

卷　　号：50

期　　号：8

起止页码：1859-1865

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对太赫兹波导封装技术进行研究,并在D波段(110~170 GHz)和220 GHz频段分别进行设计验证.通过金丝键合技术对研制的D波段放大器芯片进行波导封装设计,封装测试结果为:封装模块在139 GHz测试得到最大增益为10.8 dB,在137~144 GHz频率范围内,增益大于7.8 dB,输入端回波损耗优于5 dB,输出端回波损耗优于8.5 dB.封装与在片测试结果曲线变化趋势基本一致,但是封装后芯片性能恶化严重,封装损耗大于5 dB.基于此,开展太赫兹波导-集成探针过渡结构研究,提出一种适用于太赫兹频段的波导-集成探针过渡结构,并在220 GHz频段进行设计验证.模块测试结果为:在208~233 GHz频带范围内,插入损耗优于3 dB,回波损耗优于8 dB,在224 GHz频点处,获得该结构的最优性能,其插入损耗为1.3 dB,回波损耗为46.4 dB.该波导-集成探针过渡结构为太赫兹频段全集成芯片研制提供了经验.

关 键 词：太赫兹 波导封装  放大器 金丝键合 波导-集成探针过渡  

分 类 号：TN432]