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期刊文章详细信息

宽禁带半导体光电材料及其应用研究  ( EI收录)  

Wide Band Gap Semiconductor Optoelectronic Materials and Their Applications

  

文献类型:期刊文章

作  者:叶志镇[1,2] 王凤志[1,2] 陈芳[2] 陆杨丹[1]

Ye Zhizhen;Wang Fengzhi;Chen Fang;Lu Yangdan(School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310027,Zhejiang,China;Institute of Wenzhou,Wenzhou Key Laboratory of Novel Optoelectronic and Nano Materials,Zhejiang University,Wenzhou 325006,Zhejiang,China)

机构地区:[1]浙江大学材料科学与工程学院,浙江杭州310027 [2]浙江大学温州研究院,温州市光电及纳米新材料重点实验室,浙江温州325006

出  处:《光学学报》

基  金:浙江省“尖兵”“领雁”研发攻关计划(2022C01171);浙江省省级重点研发计划(2021C01030);浙江省博士后科研项目择优资助(ZJ2021143)。

年  份:2022

卷  号:42

期  号:17

起止页码:303-321

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:宽禁带半导体具有独特的电子结构、丰富的微纳结构、低温可控制备、可柔性透明化、化学稳定性好、物丰价廉等特点,成为信息技术与环境技术新的重要基础材料。以氧化锌和钙钛矿这两种宽禁带半导体材料为例,分别介绍了两种材料的制备原理及方法、光电特性及其在紫外光源、透明导电薄膜、发光二极管等领域的应用。最后对其发展进行了展望。

关 键 词:材料  氧化锌 紫外光源 透明导电薄膜 钙钛矿 发光二极管  

分 类 号:TN304]

参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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