文献类型：期刊文章

作　　者：杨祥龙[1,2] 陈秀芳[1,2] 谢雪健[1,2] 彭燕[1,2] 于国建[2] 胡小波[1,2] 王垚浩[2] 徐现刚[1,2]

YANG Xianglong;CHEN Xiufang;XIE Xuejian;PENG Yan;YU Guojian;HU Xiaobo;WANG Yaohao;XU Xiangang(Institute of Novel Semiconductors,State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China;Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd.,Guangzhou 511458,China)

机构地区：[1]山东大学,晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南250100 [2]广州南砂晶圆半导体技术有限公司,广州511458

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(51902182,52022052)。

年　　份：2022

卷　　号：51

期　　号：9

起止页码：1745-1748

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用物理气相传输(PVT)法扩径获得了8英寸(1英寸=2.54 cm)4H-SiC籽晶,用于8英寸导电型4H-SiC晶体生长,并加工出厚度520μm的8英寸4H-SiC衬底。使用拉曼光谱、全自动显微镜面扫描、非接触电阻率测试仪面扫描和高分辨X射线衍射仪对衬底的晶型、微管、电阻率和结晶质量进行了表征。衬底颜色均一并结合拉曼光谱表明衬底4H-SiC晶型面积比例为100%;衬底微管密度小于0.3 cm^(-2);衬底电阻率范围20~23 mΩ·cm,平均值为22 mΩ·cm;(004)面高分辨X射线摇摆曲线半峰全宽为32.7″,表明衬底良好的结晶质量。

关 键 词：SiC单晶衬底  8英寸  物理气相传输法  微管密度  电阻率

分 类 号：O782]