文献类型：期刊文章

作　　者：黄强[1,2] 张意[1] 孙军强[1] 余长亮[3] 高建峰[1] 江佩璘[1] 石浩天[1] 黄楚坤[1]

Huang Qiang;Zhang Yi;Sun Junqiang;Yu Changliang;Gao Jianfeng;Jiang Peilin;Shi Haotian;Huang Chukun(Wuhan National Laboratory for Optoelectronics,Huazhong University of Science and Technology,Wuhan 430074,Hubei,China;Hunan Provincial Key Laboratory of Grids Operation and Control on MultiPower Sources Area,School of Electrical Engineering,Shaoyang University,Shaoyang 422000,Hunan,China;Wuhan Fisilink Microelectronics Technology Co.,Ltd.,Wuhan 430040,Hubei,China)

机构地区：[1]华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北武汉430074 [2]邵阳学院电气工程学院多电源地区电网运行与控制湖南省重点实验室,湖南邵阳422000 [3]武汉飞思灵微电子技术有限公司,湖北武汉430040

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：国家自然科学基金(61875063);湖北省重点研发计划(2021BAA002);邵阳市科技计划(2021004ZD)。

年　　份：2022

卷　　号：59

期　　号：19

起止页码：29-40

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2021_2022、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅基光子集成技术在众多领域已经取得了重大突破,但目前唯一能实现全部硅基集成有源器件且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的材料是锗硅材料体系。Ge/SiGe多量子阱作为硅基光调制器在硅芯片上能实现短距离光互连,基于量子限制斯塔克效应的Ge/SiGe多量子阱调制器具有低功耗、低偏压、高速率的优点。总结了基于Ge/SiGe多量子阱调制器的研究现状和进展,讨论对比了Ge/SiGe多量子阱调制器的消光比、光损耗、偏置电压、电场、光调制器的调制带宽、暗电流等性能参数,展望了Ge/SiGe多量子阱调制器在集成光子学中的发展方向和面临的挑战。

关 键 词：光学器件 硅基光子学  SiGe调制器  Ge/SiGe多量子阱  量子限制斯塔克效应  

分 类 号：TN389]