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期刊文章详细信息

基于InP DHBT工艺的33~170 GHz共源共栅放大器  ( EI收录)  

A 33~170 GHz cascode amplifier based on InP DHBT technology

  

文献类型:期刊文章

作  者:王伯武[1] 于伟华[1,2] 侯彦飞[3] 余芹[1] 孙岩[4] 程伟[4] 周明[4]

WANG Bo-Wu;YU Wei-Hua;HOU Yan-Fei;YU Qin;SUN Yan;CHENG Wei;ZHOU Ming(Beijing Key Laboratory of Millimeter Wave and Terahertz Technology,Beijing Institute of Technology,Beijing 100081,China;BIT Chongqing Institute of Microelectronics and Microsystems,Chongqing 400031,China;Beijing Institute of Radio Measurement,Beijing 100039,China;Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing 210016,China)

机构地区:[1]北京理工大学毫米波与太赫兹技术北京市重点实验室,北京100081 [2]北京理工大学重庆微电子研究院,重庆400031 [3]北京无线电测量研究所,北京100039 [4]南京电子器件研究所单片集成电路与模块实验室,江苏南京210016

出  处:《红外与毫米波学报》

基  金:Supported by National Natural Science Foundation of China(61771057)。

年  份:2023

卷  号:42

期  号:2

起止页码:197-200

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:基于500 nm磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)工艺,设计了一种工作在33~170 GHz频段的超宽带共源共栅功率放大器。输入端和输出端的平行短截线起到变换阻抗和拓展带宽的作用,输出端紧密相邻的耦合传输线补偿了一部分高频传输损耗。测试结果表明,该放大器的最大增益在115 GHz达到11.98 dB,相对带宽为134.98%,增益平坦度为±2 dB,工作频段内增益均好于10 dB,输出功率均好于1 dBm。

关 键 词:磷化铟双异质结双极晶体管(InP DHBT)  单片微波集成电路(MMIC)  共源共栅放大器  宽带  

分 类 号:TN722]

参考文献:

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同被引文献:

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