文献类型：期刊文章

作　　者：刘兆慧[1] 尉升升[1] 于洪权[1] 尹志鹏[1] 王德君[1]

Liu Zhaohui;Wei Shengsheng;Yu Hongquan;Yin Zhipeng;Wang Dejun(School of Control Science and Engineering,Faculty of Electronic Information and Electrical Engineering,Dalian University of Technology,Dalian 116024,China)

机构地区：[1]大连理工大学电子信息与电气工程学部控制科学与工程学院,辽宁大连116024

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61874017)。

年　　份：2023

卷　　号：48

期　　号：6

起止页码：463-469

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：阈值电压不稳定是SiC MOSFET的一个主要问题,而栅氧化层及界面电荷是引起器件阈值电压不稳定的关键因素。结合三角波电压扫描法和中带电压法提取了SiC MOSFET中的栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度随应力时间的变化量,总结了三种电荷面密度变化量在不同应力时间下的变化规律,分析了其对器件阈值电压不稳定性的影响,同时推测了长时间偏压作用下SiC MOSFET阈值电压稳定性的劣化机制。测试结果表明,栅氧化层陷阱电荷面密度、界面陷阱电荷面密度和可动电荷面密度在不同偏压温度下随应力时间的变化规律不同,常温应力下器件阈值电压稳定性劣化主要与栅氧化层陷阱电荷有关,而高温下,则主要与界面陷阱电荷有关。

关 键 词：SiC MOSFET  阈值电压不稳定性  栅氧化层陷阱电荷  界面陷阱电荷  可动电荷  

分 类 号：TN386.1]