文献类型：期刊文章

作　　者：李嘉豪[1] 韩军[1] 邢艳辉[1,2] 董晟园[1] 王冰辉[1] 任建华[1] 曾中明[3] 张宝顺[3] 邓旭光[3]

LI Jiahao;HAN Jun;XING Yanhui;DONG Shengyuan;WANG Binghui;REN Jianhua;ZENG Zhongming;ZHANG Baoshun;DENG Xuguang(Key Laboratory of Opto-electronics Technology,Ministry of Education,Faculty of Information Technology,Beijing University of Technology,Beijing 100124,China;State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,China;Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences,Suzhou 215123,China)

机构地区：[1]北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124 [2]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [3]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(61731019);北京市自然科学基金(4202010)。

年　　份：2023

卷　　号：44

期　　号：6

起止页码：1077-1084

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用脉冲直流磁控溅射法在Si(100)衬底上制备了AlN/Mo/Sc_(0.2)Al_(0.8)N复合结构薄膜,在该结构上通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术进行GaN薄膜的外延。使用原子力显微镜、高分辨X射线衍射、粉末X射线衍射、扫描电子显微镜和拉曼光谱研究了Mo插入层的厚度对Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层和GaN外延层晶体质量的影响,研究了Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层对Mo上生长的GaN外延层的影响。研究结果表明,Mo插入层的厚度是影响Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层和GaN外延层的重要因素,Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层对Mo上GaN晶体质量的提高具有重要意义。随Mo厚度的增加,Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层的表面粗糙度先减小后增大,GaN外延层的(002)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽先减小后增大。当Mo插入层厚度为400 nm时,GaN外延层的晶体质量最好,GaN(002)面的X射线衍射摇摆曲线半峰全宽为0.51°,由拉曼光谱计算得到的压应力483.09 MPa;直接在Mo上进行GaN的外延,GaN(002)面的X射线衍射摇摆曲线半峰全宽无法测得,说明在Mo上进行GaN的外延需要Sc_(0.2)Al_(0.8)N缓冲层。

关 键 词：GAN 金属有机化学气相沉积(MOCVD)  ScAlN  X射线衍射

分 类 号：O482.31]