文献类型：期刊文章

作　　者：沈乐昀[1] 张涛[1] 刘云泽[1] 吴慧珊[1] 王凤志[1,2] 潘新花[1,2] 叶志镇[1,2]

SHEN Leyun;ZHANG Tao;LIU Yunze;WU Huishan;WANG Fengzhi;PAN Xinhua;YE Zhizhen(State Key Laboratory of Silicon and Avanced Semiconductor Materials,School of Materials Science and Engineering,Zhejiang University,Hangzhou 310058,China;Wenzhou Key Laboratory of Novel Optoelectronic and Nano Materials,Institute of Wenzhou,Zhejiang University,Wenzhou 325006,Zhejiang,China)

机构地区：[1]浙江大学材料科学与工程学院,硅及先进半导体材料全国重点实验室,杭州310058 [2]浙江大学温州研究院,温州市光电及纳米新材料重点实验室,浙江温州325006

出　　处：《材料工程》

基　　金：国家自然科学基金项目(51972283,91833301);浙江省重点研究计划(2021C01030)。

年　　份：2023

卷　　号：51

期　　号：10

起止页码：13-26

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：β-Ga_(2)O_(3)是一种超宽禁带半导体材料,对应太阳光谱的深紫外波段,可用于制备日盲紫外探测器。日盲紫外探测器抗干扰能力强、探测灵敏度高、背景噪声低,在军事和航空航天领域具有极大的应用前景。本文主要介绍Ga_(2)O_(3)材料的基本性质,包括不同的晶相结构及其制备方法,并总结不同结构的Ga_(2)O_(3)器件在日盲紫外探测领域的研究进展。其中,金属-半导体-金属(MSM)结构的Ga_(2)O_(3)器件最为普遍,特别是基于薄膜材料的器件已具备了商业化参数,有望实现产业化应用。基于Ga_(2)O_(3)的异质结和肖特基结日盲紫外探测器也表现出优异的性能,并呈现出自供电特性。此外,薄膜晶体管结构Ga_(2)O_(3)器件结合MSM结构和晶体管结构的工作机制,可获得更大的光增益,适用于微弱信号的探测,成为一种极具潜力的日盲紫外探测器件。

关 键 词：氧化镓 宽禁带氧化物  日盲紫外 光电探测器

分 类 号：TQ174]