文献类型：期刊文章

作　　者：陈中标[1] 崔碧峰[1] 郑翔瑞[1] 杨春鹏[1] 闫博昭[1] 王晴[1] 高欣雨[1]

Chen Zhongbiao;Cui Bifeng;Zheng Xiangrui;Yang Chunpeng;Yan Bozhao;Wang Qing;Gao Xinyu(Key Laboratory of Opto-Electronics Technology of Ministry of Education,Faculty of Information Technology,Beijing University of Technology,Beijing100124,China)

机构地区：[1]北京工业大学信息学部光电子技术教育部重点实验室,北京100124

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家自然科学基金(60908012,61575008,61775007);北京市自然科学基金(4172011)。

年　　份：2024

卷　　号：51

期　　号：8

起止页码：16-22

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：GaAs基垂直腔面发射激光器在干法刻蚀过程中,台面侧壁形成的缺陷会导致器件出现层结构分层、断裂以及氧化孔不规则等问题。针对该问题,提出了一种干法刻蚀与硫化铵钝化相结合的氧化前预处理方案,研究了硫化铵钝化处理对器件层结构以及氧化工艺稳定性的影响。扫描电子显微镜测试结果表明:器件侧壁层结构的分层现象减少,器件结构稳定性更好;高Al层的氧化速率更稳定,氧化孔形状更为规则。将该工艺方案用于制备氧化孔直径为5μm的940 nm垂直腔面发射激光器,室温下,与传统工艺制备的器件相比,钝化后的器件的斜率效率提高了5%,各器件之间的性能一致性更好。同时,在1 mA的驱动电流下,激光器的边模抑制比可达36 dB,处于单模激射状态。在优化后的氧化工艺条件下,制备了形状规范的氧化孔结构,进一步改善了氧化限制型垂直腔面发射激光器的性能。

关 键 词：激光器 垂直腔面发射激光器 氧化孔  湿法氧化 钝化 干法刻蚀

分 类 号：TN248.4]