文献类型：期刊文章

作　　者：王瑞军[1] 韩羽[1] 余思远[1]

Wang Ruijun;Han Yu;Yu Siyuan(School of Electronics and Information Technology,State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,Sun Yat-sen University,Guangzhou 510275,Guangdong,China)

机构地区：[1]中山大学电子与信息工程学院,光电材料与技术国家重点实验室,广东广州510275

出　　处：《光学学报》

基　　金：国家自然科学基金(62235005,62375293,62105378,RLZY20231001-02);广东省自然科学基金(2022A1515012634,2022B1515130002,2022A1515011255)。

年　　份：2024

卷　　号：44

期　　号：15

起止页码：146-157

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、CAS、CSCD、CSCD2023_2024、EAPJ、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅基集成Ⅲ-V族化合物半导体激光器是硅光技术发展的关键,多年来研究人员发展了三大类集成方案。本文对这三类技术进行概括性综述:基于倒装焊等工艺的混合集成方案将预先制备的激光器芯粒通过压焊等手段精确安装至硅光芯片,已实现小批量生产,但在生产效率、良率、成本等方面具有一定的局限性;基于材料转移或键合的异质集成方案通过将晶格匹配衬底上预先外延制备的高质量有源层薄膜贴合至硅光衬底晶圆上,实现了大尺寸硅衬底上的全晶圆级激光器加工,可大幅度提高生产效率,该方案正进一步提高良率;硅基直接外延化合物半导体激光器的异质集成方案作为真正的晶圆级加工技术路线具有极大的吸引力,通过缓冲层、垂直或侧向选区外延等方式,克服材料间的理化性质失配、反相畴以及激光器与硅波导之间的光耦合效率低等技术难题,取得了多项突破,展现了良好的发展前景。

关 键 词：集成光学 硅基光子学  硅基半导体激光器  异质集成  

分 类 号：O436]