文献类型：期刊文章

作　　者：吕博赛[1,2] 娄硕[1] 沈沛约[1] 史志文[1]

LYU Bo-Sai;LOU Shuo;SHEN Pei-Yue;SHI Zhi-Wen(Key Laboratory of Artificial Structures and Quantum Control(Ministry of Education),School of Physics and Astronomy,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240,China;Department of Quantum Matter Physics,University of Geneva,Geneva 1211,Switzerland)

机构地区：[1]上海交通大学物理与天文学院人工结构及量子调控教育部重点实验室,上海200240 [2]日内瓦大学量子材料物理系,瑞士日内瓦1211

出　　处：《物理》

基　　金：国家重点基础研发计划(批准号:2022YFA1402702,2021YFA1202902);国家自然科学基金(批准号:1207040057,1237042375)资助项目。

年　　份：2024

卷　　号：53

期　　号：10

起止页码：683-690

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2023、CAS、JST、核心刊

摘　　要：石墨烯纳米带具有可调节的带隙和较高的载流子迁移率,是未来高性能纳米电子器件的理想候选材料之一。然而,可用于电子器件的高质量石墨烯纳米带的制备一直是一个巨大挑战。文章关注高质量石墨烯纳米带的制备,重点介绍近年来采用金属纳米颗粒催化生长纳米带方面的重要进展,尤其是运用该技术在六方氮化硼层间嵌入式生长超高质量石墨烯纳米带的最新成果。基于这种层间纳米带的场效应晶体管表现出优异的性能,有望在将来的碳基纳米电子器件中扮演重要的角色。最后讨论该领域未来可能面临的机遇与挑战。

关 键 词：石墨烯纳米带 纳米颗粒  催化生长  氮化硼封装  碳基纳米电子学  

分 类 号：TQ127.11] TB383.1[材料类]