文献类型：期刊文章

作　　者：曹文彧[1] 孟令海[2] 雷孟铼[3] 李曙琨[3] 于果[2] 陈焕卿[3] 陈伟华[3] 胡晓东[2,3]

Cao Wenyu;Meng Linghai;Lei Menglai;Li Shukun;Yu Guo;Chen Huanqing;Chen Weihua;Hu Xiaodong(Hubei Key Laboratory of Low Dimensional Optoelectronic Materials and Devices,School of Physics and Electronic Engineering,Hubei University of Arts and Science,Xiangyang 441053,Hubei,China;Guangxi Hurricanechip Technology Co.,Ltd.,Liuzhou 545003,Guangxi,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Microscopic Physics,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China)

机构地区：[1]湖北文理学院物理与电子工程学院低维光电材料与器件湖北省重点实验室,湖北襄阳441053 [2]广西飓芯科技有限责任公司,广西柳州545003 [3]北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871

出　　处：《中国激光》

基　　金：国家重点研发计划(2023YFB3609800,2023YFB4604400)。

年　　份：2025

卷　　号：52

期　　号：5

起止页码：213-227

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、核心刊

摘　　要：氮化镓(GaN)基激光二极管(LD)在激光显示、激光制造、可见光通信和量子信息技术等领域中具有广阔的应用前景,是第三代半导体光电子器件研究的前沿方向和产业发展的热点。然而,其性能和可靠性的提升仍面临科学和技术上的挑战。介绍了GaN基LD的发展现状,讨论了制约其性能提升的主要瓶颈问题,总结了研究团队在器件设计和材料外延方面的最新研究进展。研究团队提出了三维六角叠层掩模方法,实现了高位错密度区域的降维;建立了漏电流解析模型,揭示了电子阻挡层的作用机制;利用结晶恢复层提高了超厚多量子阱结构的外延质量,并阐明了其对发光性能的影响机理。这些研究为发展高性能GaN基LD提供了物理依据和技术支撑。最后对未来的研究重点进行了展望。

关 键 词：氮化镓 激光二极管 位错降低  漏电流 多量子阱

分 类 号：TN242]