文献类型：期刊文章

作　　者：王嘉文[1] 崔义乾[2] 羊小倩[1] 张瑜[1] 于威[2]

WANG Jiawen;CUI Yiqian;YANG Xiaoqian;ZHANG Yu;YU Wei(College of Electronic and Informational Engineering;National-Local Joint Engineering Laboratory of New Energy Photoelectric Devices,College of Physics Science and Technology,Hebei University,Baoding 071002,CHN)

机构地区：[1]河北大学电子信息工程学院,河北保定071002 [2]河北大学物理科学与技术学院新能源光电器件国家地方联合工程实验室,河北保定071002

出　　处：《半导体光电》

年　　份：2025

卷　　号：46

期　　号：2

起止页码：240-247

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2023、核心刊

摘　　要：文章对聚(3,4-乙烯二氧噻吩):聚(苯乙烯磺酸盐)(PEDOT∶PSS)和氧化钼(MoO_(x))两种空穴传输材料及其所制备的n-Si异质结隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳电池进行了系统地比较研究。首先,对比了PEDOT∶PSS和MoO_(x)薄膜的功函数、电阻率、光吸收及对硅片的减反射作用等光电特性;随后,根据薄膜性质设计并制备全背电极结构的PEDOT∶PSS/n-Si和MoO_(x)/n-Si异质结TOPCon太阳电池,通过量子效率(EQE)、光照/暗态J-V曲线及稳定性测试对比性能。结果表明,PEDOT∶PSS/n-Si太阳电池具有更高的P-N结质量和转换效率,而MoO_(x)/n-Si太阳电池则具有更高的开路电压和稳定性。本研究为基于非掺杂硅基异质结太阳电池优化提供了理论参考。

关 键 词：MoOx  PEDOT∶PSS  比较研究  太阳电池 非掺杂空穴传输层  

分 类 号：TN304.055] TM914.4]