文献类型：期刊文章

作　　者：邹学平[1] 李国卿[1] 丁振峰[1] 张家良[1] 牟宗信[1] 关秉羽[2]

机构地区：[1]大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连116024 [2]沈阳北宇真空机械厂,沈阳110000

出　　处：《核聚变与等离子体物理》

年　　份：2002

卷　　号：22

期　　号：4

起止页码：243-248

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过测量脉冲磁过滤阴极弧等离子体沉积系统中的基片台悬浮电位,发现了弧源接地方式对基片台悬浮电位与等离子体电位影响很大。当阳极接地时基片台悬浮电位可达-60V,而弧源悬浮时却只有-5V。因此,要获得相似沉积条件的沉积薄膜,弧源接地方式不同,给基片施加偏压也应有所不同。

关 键 词：脉冲磁过滤  阴极弧  沉积  基片台悬浮电位  等离子体电位  复合探针  基片偏压  

分 类 号：O536] O461.22[物理学类]