文献类型：期刊文章

作　　者：王娅茹[1] 梁兰菊[1] 杨茂生[1,2] 王旭娟[1] 王岩[1]

Wang Yaru;Liang Lanju;Yang Maosheng;Wang Xujuan;Wang Yan(College of Optoelectronic Engineering,Zaozhuang University,Zaozhuang,Shandong 277160,China;College of Precision Instrument and Optoelectronics Engineering,Institute of Laser and Opto-Electronics,Tianjin University,Tianjin 300072,China)

机构地区：[1]枣庄学院光电工程学院,山东枣庄277160 [2]天津大学精密仪器与光电子工程学院激光与光电子研究所,天津300072

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：国家自然科学基金(61701434);山东省自然科学基金面上项目(ZR201702200400);山东省高等学校科技计划项目(J17KA087)

年　　份：2019

卷　　号：56

期　　号：4

起止页码：202-208

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2019_2020、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于半导体硅电导率的可调性,设计了一种基于金属短线(CW)和圆形开口谐振环(SRR)的可控电磁诱导透明(EIT)结构,实现了对电磁诱导透明(EIT)效应的主动调控。研究发现,当半导体硅的电导率为1S/m时,透射谱在1.33THz附近呈现出透射率约为94%的窄透明窗口。当电导率为5000S/m时,透射率变为58%;当电导率为15000S/m时,EIT效应基本消失,调控效率达到了66%。利用耦合模理论对不同电导率的透射谱进行拟合,发现拟合曲线与透射谱非常吻合,这表明仿真结果和理论计算结果是一致的。仿真和计算结果表明,当硅的电导率增大时,暗模式的阻尼率增大,其损耗也增大,当电导率增大到一定值时,暗模式的谐振不能被激发,EIT效应消失。

关 键 词：材料  超材料 电磁诱导透明 光敏半导体硅  

分 类 号：O511.3[材料类] O441]