文献类型：期刊文章

作　　者：李亦琨[1] 孙亚宾[1] 李小进[1] 石艳玲[1] 王玉恒[2] 王昌锋[3] 廖端泉[3] 田明[3]

LI Yikun;SUN Yabin;LI Xiaojin;SHI Yanling;WANG Yuheng;WANG Changfeng;LIAO Duanquan;TIAN Ming(Shanghai Key Lab.of Multidimensional Inform.Processing,Depart.of Elec.Engineer.,East China Normal Univ.,Shanghai 200241,P.R.China;Guangdong Provincial Engineer.Research Centre on Solid-State Lighting and Its Informationisation,South China Univ.of Technol.,Guangzhou510641,P.R.China;Shanghai Huali Microelec.Corp.,Shanghai 201203,P.R.China)

机构地区：[1]华东师范大学电子工程系上海多维信息处理重点实验室,上海200241 [2]华南理工大学广东省半导体照明与信息化工程技术研究中心,广州510641 [3]上海华力微电子有限公司,上海201203

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家科技重大专项资助项目(2016ZX02301003);国家科学自然基金资助项目(61574056,61704056);上海扬帆计划资助项目(YF1404700);上海市科学技术委员会资助项目(14DZ2260800)

年　　份：2019

卷　　号：49

期　　号：3

起止页码：431-435

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、IC、INSPEC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：提出了一种基于后栅极工艺的22 nm全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件的制备方法。基于电学测试结果,分析了器件的基本性能,研究了背栅偏压对器件性能的影响。结果表明,器件的开关电流比比较高、亚阈值摆幅较小,符合产业的一般标准。背栅偏压对长沟道和短沟道器件的阈值电压均有明显的影响。电路设计人员可以根据不同需求,选择工作在正向体偏置(FBB)模式或者反向体偏置(RBB)模式的器件。

关 键 词：全耗尽绝缘体上硅  后栅极工艺  背栅偏压  阈值电压

分 类 号：TN386.1]