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会议论文详细信息

暴露高能晶面半导体纳米材料的合成及其增强的物理化学性能       

文献类型:会议

作  者:杨合情 赵桦 杨帆 金荣 赵青

作者单位:陕西师范大学材料科学与工程学院,陕西省大分子科学重点实验室

会议文献:中国化学会第29届学术年会摘要集——第26分会:胶体与界面

会议名称:中国化学会第29届学术年会

会议日期:20140804

会议地点:中国北京

主办单位:中国化学会

出版日期:20140804

学会名称:中国化学会

语  种:中文

摘  要:自从Yang等[1]首次合成出了暴露{001}面锐钛矿结构TiO2纳米片,发现其具有增强的催化活性以来,设计合成暴露高能晶面、提高其比例成为材料合成的追求目标。我们通过水热、溶剂热、溶液的热反应、胶体化学以及CVD法合成出了暴露{001}面的CdS纳米片组装的花状纳米结构,暴露{020}面InOOH的六角星状结构[2],暴露{111}面NiO八面体结构,暴露{001}面的ZnO纳米片网络结构[3]、暴露{001}InOCl纳米片和CdSe纳米片以及负载AgCl纳米颗粒NiO八面体结构,研究了它们光催化、气体敏感性能和场发射性能,结果发现InOOH的{020},CdS的{001},NiO的{111}以及InOCl{001}晶面具有增强的光催化性能,ZnO{001}面具有增强的化学传感性能。

关 键 词:半导体  纳米材料 高能晶面  光催化 气敏性能

分 类 号:TB383.1[材料类]

参考文献:

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二级参考文献:

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耦合文献:

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引证文献:

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二级引证文献:

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同被引文献:

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