- 氧化铟锡与掺Fe半绝缘GaN的接触特性
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- 《半导体技术》中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米光子材料与器件重点实验室;苏州纳维科技有限公司 卫新发 梁国松 张育民 王建峰 徐科 出版年：2021
- 关键词：掺Fe GaN 氧化铟锡(ITO) Ti薄层 欧姆接触 热稳定性 光导半导体开关
- 氨热法GaN单晶生长的位错密度演变研究
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- 《人工晶体学报》中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学技术大学纳米科学与技术学院;苏州纳维科技有限公司;江苏第三代半导体研究院 夏政辉 李腾坤 任国强 解凯贺 卢文浩 李韶哲 郑树楠 高晓冬 徐科 出版年：2024
- 关键词：氮化镓单晶 氨热法 侧向生长 位错密度 腐蚀坑
- GaN单晶衬底上同质外延界面杂质的研究
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- 《人工晶体学报》中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;上海科技大学物质科学与技术学院;苏州纳维科技有限公司;中国科学院纳米光子材料与器件重点实验室 邵凯恒 夏嵩渊 张育民 王建峰 徐科 出版年：2021
- 关键词：氮化镓衬底 二次生长界面 界面杂质 杂质来源 同质外延 Si聚集
- Micro-LED的侧壁损伤以及光学特性
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- 《人工晶体学报》苏州大学光电科学与工程学院&苏州纳米科技协同创新中心;苏州大学;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;苏州纳维科技有限公司;沈阳材料科学国家研究中心 蔡鑫 徐俞 曹冰 徐科 出版年：2023
- 关键词：Micro-LED 侧壁损伤 侧壁钝化 尺寸 光学特性
- 尾气中镓源回收装置、尾气处理装置及HVPE反应器
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- [发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20210721徐琳 蔡德敏 金超 出版年：2023
- 一种闸板阀
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- [发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20120702徐俞 张纪才 徐琳 王建峰 徐科 出版年：2012
- 一种硅基图形衬底上生长外延层的方法
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- [发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20080919朱建军 徐科 王建峰 出版年：2009
- 一种III-V族半导体单晶衬底孔洞消除之后的表面结构及其制备方法
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- [发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20150625张育民 王建峰 徐科 出版年：2015
- 晶体参考面加工用X射线定向夹具和定向方法
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- [发明专利] 苏州纳维科技有限公司 20161230徐俞 王建峰 徐科 出版年：2017
- 多组分物料化学反应辅助装置
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- [实用新型] 苏州纳维科技有限公司 20240620刘俊杰 出版年：2025
